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Question
为了尽可能加大集极电流\(i_{C}\)和基极电流\(i_{B}\)的比值，在同样发射极电流的情况下，BJT的理想设计为：[...]
Answer

- 高掺杂的发射极：高掺杂的发射极形成的耗尽区更宽，占据基极的部分更多，基极含有空穴的部分就更少，再结合发生的就越少

- 低掺杂、并且薄的基极：低掺杂且薄的基极和发射极形成的耗尽区会占据更多的基极，发生再结合的区域就越少，同时进入发射极的空穴也会越少


Question
为了尽可能加大集极电流\(i_{C}\)和基极电流\(i_{B}\)的比值，在同样发射极电流的情况下，BJT的理想设计为：[...]
Answer
?

Question
为了尽可能加大集极电流\(i_{C}\)和基极电流\(i_{B}\)的比值，在同样发射极电流的情况下，BJT的理想设计为：[...]
Answer

- 高掺杂的发射极：高掺杂的发射极形成的耗尽区更宽，占据基极的部分更多，基极含有空穴的部分就更少，再结合发生的就越少

- 低掺杂、并且薄的基极：低掺杂且薄的基极和发射极形成的耗尽区会占据更多的基极，发生再结合的区域就越少，同时进入发射极的空穴也会越少


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