- 高掺杂的发射极:高掺杂的发射极形成的耗尽区更宽,占据基极的部分更多,基极含有空穴的部分就更少,再结合发生的就越少
- 低掺杂、并且薄的基极:低掺杂且薄的基极和发射极形成的耗尽区会占据更多的基极,发生再结合的区域就越少,同时进入发射极的空穴也会越少